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[IT뉴스]로옴, 업계 최고 수준의 저손실 실현한 650V 내압 IGBT 개발

온카뱅크관리자

2026-06-18 11:17:31

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 로옴, 업계 최고 수준의 저손실을 실현한 650V 내압 IGBT 개발
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 로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT를 개발했다.
 신제품은 차량용 650V 클래스 제품 가운데 업계 최고 수준의 낮은 도통손실 VCE(sat)＝1.55V를 실현함과 동시에 높은 단락 내량을 실현하여 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거한다.
 고전압화가 가속화되는 전기자동차의 경우 메인 인버터 등 대전력을 취급하는 어플리케이션에서 고효율 SiC의 채용이 추진되고 있다. 반면 차량용 전동 컴프레서나 HV 히터와 같이 전력 용량이 작은 보조기기에서는 스위칭 디바이스로 650V 내압의 IGBT가 널리 채용되고 있다. 산업기기에서도 모터 및 컴프레서 등을 중심으로 실리콘 IGBT가 많이 사용되고 있으며, 앞으로도 수요의 확대가 예상된다.
 이들 애플리케이션에서는 에너지 절약화 및 기기의 소형화가 요구됨에 따라 파워 디바이스의 신뢰성 향상 및 소형화, 고효율화에 대한 요구도 커지고 있다. 특히 인버터나 히터 회로에서는 단락 시의 과전류를 검출해 차단할 때까지의 시간동안 파괴되지 않고 견딜 수 있는 단락 내량의 향상이 필수적이다. 
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 <img alt="TO-247N 패키지와 TO-247-4L 패키지" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202606/18/etimesi/20260618110856074wqcl.png" data-org-width="366" dmcf-mid="yYtNvzztmJ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img1.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202606/18/etimesi/20260618110856074wqcl.png" width="658">
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 TO-247N 패키지와 TO-247-4L 패키지
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 이 같은 시장의 요구에 대응해 로옴은 디바이스 구조를 개선함으로써 고전압에 대응함과 동시에 낮은 손실과 높은 단락 내량을 양립한 제4세대 IGBT를 개발했다.
 신제품은 프로세스 및 외부 구조를 포함한 디바이스 구조를 개선함으로써 전류 밀도를 향상시킴과 동시에 도통손실과 스위칭 손실을 줄였다. 또한 저손실화와 트레이드 오프 관계인 높은 단락 내량(Tj＝25℃ 시 7μs)을 확보해 애플리케이션의 고효율화와 신뢰성 향상에 기여한다.
 라인업으로는 TO-247N 패키지 'RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR' 12기종과 베어칩 'SG83xxWN' 10기종으로 구성된다. 아울러 TO-247-4L 패키지 'RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR' 12기종에 대해서도 개발을 추진하고 있다.
 제품은 2026년 5월부터 월 100만개의 생산 체제로 시작했으며, TO-247N 패키지는 온라인 판매에도 대응해 Arrow.com 및 CoreStaff Online 등 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다. 또한, 각종 디자인 모델 및 회로 설계에 필요한 자료를 구비하여 로옴 공식 Web 사이트에서 제공하고 있다.
 로옴은 앞으로 TO-247N 패키지의 기종을 한층 더 확충함과 동시에 TO-263L 패키지 및 상면 방열 (TSC : Top-Side Cooling) 패키지를 채용해 표면실장이 가능한 소형 IGBT 제품을 개발할 예정이다. 이를 통해 고성능 IGBT 제품의 라인업 확충을 전개해 자동차 및 산업기기 애플리케이션의 고효율 구동과 소형화에 기여한다는 방침이다. 
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 69-049 Topics 650V IGBT RGA TO-247N 라인업
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 69-049 Topics 650V IGBT RGA TO-247-4L 라인업
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 유은정 기자 judy6956@etnews.com
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