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[IT뉴스][단독] SK하이닉스, 내년 300단대 'V10 낸드' 낸다…하이브리드 본딩 첫 적용 [강해령의 테크앤더시티]

온카뱅크관리자

2025-12-08 07:17:31

<div id="layerTranslateNotice" style="display:none;"></div>  
        <div class="article_view" data-translation-body="true" data-tiara-layer="article_body" data-tiara-action-name="본문이미지확대_클릭"> 
         <section dmcf-sid="bJlrLrAiSg">
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="5dc448b87ee15661419cb2eb1b9811470963233520974b950811141926dc95b8" dmcf-pid="KiSmomcnyo" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="SK하이닉스의 321단 4D 낸드플래시. 사진제공=SK하이닉스" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071452909deee.jpg" data-org-width="940" dmcf-mid="2SBb1bUZT1" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071452909deee.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            SK하이닉스의 321단 4D 낸드플래시. 사진제공=SK하이닉스
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="0152f91e44d0596ed80a2ccd4a84713ee996863d0374fab9959b3ac5e03e64de" dmcf-pid="9nvsgskLhL" dmcf-ptype="general">SK하이닉스가 '하이브리드 본딩' 공정을 적용한 300단대 낸드를 내후년 양산 목표로 개발 중인 것으로 확인됐다. 삼성전자, 중국 양쯔메모리(YMTC), 일본 기옥시아 등 세계 낸드 제조사들에 이어 하이브리드 본딩을 본격적으로 도입하면서 첨단 낸드 경쟁에 속도를 올린다는 전략이다.  </p>
          <div contents-hash="eb0bfb63e09a17eb85ce35122147e273aaaf4ea9b05685152753a315d33ca353" dmcf-pid="2W27H7FYyn" dmcf-ptype="general">
           8일 업계에 따르면 SK하이닉스는 300단대의 10세대(V10) 낸드를 개발하고 있다. 올해 V10 시험 라인을 통해 개발 완료한 뒤, 내년 초 본격적으로 생산하는 로드맵을 가지고 있는 것으로 알려졌다.
           <br> 
          </div>
          <hr class="line_divider" contents-hash="2b70149d71924a8558263556001eef5fb82f790e5ab4785d55be4db4dfe03701" dmcf-pid="VYVzXz3Gyi" dmcf-ptype="line">
          <div contents-hash="7e5d382a33644133e9ed1e88887036852c6403b0576c916f7efab21cabb03023" dmcf-pid="fGfqZq0HTJ" dmcf-ptype="general">
           <strong>321단 'V9' → 300단 대 하이브리드 본딩 'V10'</strong>
          </div>
          <hr class="line_divider" contents-hash="5ad18d28d2eec5c0f917e39963f8eb37cf981556052d9353ef6d41df86784cc0" dmcf-pid="4H4B5BpXCd" dmcf-ptype="line">
          <div contents-hash="743b0c3951d938303316d64beee35d39fbdcaa0446e28430260d52649dddd5b1" dmcf-pid="8X8b1bUZhe" dmcf-ptype="general">
           <br>낸드플래시는 IT 기기 속의 정보를 반영구적으로 저장할 수 있는 반도체 칩이다. 3D 낸드는 칩 속의 기억 소자들을 수직 적층하는 것이 특징이다. 
          </div>
          <p contents-hash="c39824f196c917bf8a0f38e38f4e5a5f4f30c972c9317124adfd2d3e8f2d0292" dmcf-pid="6Z6KtKu5lR" dmcf-ptype="general">기억소자들을 얇고 높이 쌓을수록 고용량의 칩을 만들 수 있다. 현재 SK하이닉스가 가장 높이 쌓아서 양산하는 낸드의 층수는 321단이다. 이 칩을 기반으로 SK하이닉스는 세계 낸드 시장에서 2위 점유율을 차지하고 있다.</p>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="c3698ee1bce392e6a9598ae3ac782a902e17b3e5704b70ea10462e0ab18812b8" dmcf-pid="P5P9F971SM" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="웨이퍼-투-웨이퍼 하이브리드 본딩 콘셉트. 서로 다른 두 장의 웨이퍼를 결합해 한 칩처럼 만드는 것이 특징이다. 사진제공=기옥시아" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071454151kask.jpg" data-org-width="1200" dmcf-mid="VmhlclmjW5" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071454151kask.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            웨이퍼-투-웨이퍼 하이브리드 본딩 콘셉트. 서로 다른 두 장의 웨이퍼를 결합해 한 칩처럼 만드는 것이 특징이다. 사진제공=기옥시아
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="0dfa150e49f011f29da7a76bc3a7de746e85eb2493dabcb2d6aee17868a420fc" dmcf-pid="Q1Q232zthx" dmcf-ptype="general">SK하이닉스 V10의 핵심은 하이브리드 본딩 첫 도입이다. 이 공정은 두 장의 반도체 웨이퍼(원판)를 마치 한 장처럼 이어붙이는 것이다.</p>
          <p contents-hash="a908b47de36ac6a20d4c875d219a1eece4e530427d5c7745675d86989ae55070" dmcf-pid="xtxV0VqFhQ" dmcf-ptype="general">낸드의 경우 기억 장치들이 모여 있는 셀(Cell) 웨이퍼, 셀이 동작할 수 있도록 지원하는 주변 회로(Peripheral) 웨이퍼를 따로 만들어서 결합한다.</p>
          <p contents-hash="7c0bacd9a13351b945db23dcc7f895c5c5dc645804fe37efbf4c29b85bf5b7f7" dmcf-pid="yoyINIDgyP" dmcf-ptype="general">SK하이닉스는 V9(321단) 낸드까지는 셀과 주변회로를 한 웨이퍼에서 만들었다. 주변 회로부를 웨이퍼 가장 아래에 만든 뒤, 그 위에 기억 소자들을 쌓아올리는 이른바 'PUC(Peri under Cell)' 방식이었다.</p>
          <p contents-hash="5dad39792bd303fd9e2ebf3c782b76590773f713b7c34ebdaa109d036e3f2a02" dmcf-pid="WgWCjCway6" dmcf-ptype="general">하지만 이렇게 하면 주변회로부에 문제가 생길 가능성이 커진다. 웨이퍼 맨 밑에 갇힌 채, 기억 소자들이 수백 단씩 쌓일 때까지 고온의 공정들을 견뎌야 하기 때문이다. 낸드의 단수가 높아질 수록 주변회로부의 불량이 생길 확률도 늘어난다.</p>
          <p contents-hash="7f7433b5a380b9b1d9965eb8a3ff76483742150e1cd5136a8cb92be2ea953212" dmcf-pid="YaYhAhrNS8" dmcf-ptype="general">하이브리드 본딩을 적용하면 주변 회로부가 부담을 덜 수 있을 뿐만 아니라, 두 장의 웨이퍼를 나눠서 생산하기 때문에 생산 시간까지 짧아질 수 있다는 장점이 있다. </p>
          <div contents-hash="5b8b7604b476c747ca11c5f5258631a92fbe63be8deb73dd0bc48459f97c6de3" dmcf-pid="GNGlclmjh4" dmcf-ptype="general">
           다만 공정 난도는 기존보다 높아진다. 서로 다른 웨이퍼에 있는 수백 개의 칩을 나노미터 단위로 정밀하게 겹쳐서, 이들이 자연스럽게 이어지도록 맞춰 붙여야 하기 때문이다. 웨이퍼-웨이퍼 하이브리드 본딩 장비는 오스트리아 EVG, 일본 도쿄일렉트론 등이 강세다. 
           <br> 
          </div>
          <hr class="line_divider" contents-hash="6feb7c83299bc21f80b6b8f0fbbdc03cc015936879681148fc34afe94d794cba" dmcf-pid="HjHSkSsAvf" dmcf-ptype="line">
          <div contents-hash="68938b89ecd6356cc0d8227aa9f6f4500c1ca8f30c44f23a02a31e49316d834a" dmcf-pid="XnvsgskLSV" dmcf-ptype="general">
           <strong>◇삼성전자, YMTC, 기옥시아도 이미 도입 </strong>
          </div>
          <hr class="line_divider" contents-hash="e6baacf8e3c662d2baad39a1c6b0c20254a2da1049815af1d93d26fd056137dd" dmcf-pid="ZLTOaOEov2" dmcf-ptype="line">
          <div contents-hash="4dd29b629ffaedaf65dbf239b8d601b0136f9582480cf23fa42686dbba23991e" dmcf-pid="5oyINIDgS9" dmcf-ptype="general">
           <br>당초 업계에서는 SK하이닉스가 400단 이상의 낸드 이후부터 하이브리드 본딩을 도입할 것이라는 예상이 많았다. 그러나 300단 대인 V10부터 이 공정을 도입하는 이유는 주요 낸드 경쟁사들이 이미 하이브리드 본딩 상용화에 속도를 붙이면서 2위 SK하이닉스의 입지를 위협하고 있기 때문이다.  
          </div>
          <figure class="figure_frm origin_fig" contents-hash="861fd52af9f507ca5ab64431f62846895472a5f11257eb84c4a47a4321d33bc8" dmcf-pid="1gWCjCwalK" dmcf-ptype="figure">
           <p class="link_figure"><img alt="중국 YMTC의 X태킹(Xtacking) 기술. 사진제공=YMTC" class="thumb_g_article" data-org-src="https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071455409eily.jpg" data-org-width="624" dmcf-mid="fXc3T3XSWZ" dmcf-mtype="image" height="auto" src="https://img3.daumcdn.net/thumb/R658x0.q70/?fname=https://t1.daumcdn.net/news/202512/08/ked/20251208071455409eily.jpg" width="658"></p>
           <figcaption class="txt_caption default_figure">
            중국 YMTC의 X태킹(Xtacking) 기술. 사진제공=YMTC
           </figcaption>
          </figure>
          <p contents-hash="388c716e2dd7b130e29b63caef69006ec8057da12cdc25051d5717f57762cefe" dmcf-pid="taYhAhrNTb" dmcf-ptype="general">이 공정을 낸드 제조에 가장 먼저 적용한 기업은 신흥 강자인 중국 YMTC다. 이들은 2018년 양산을 시작했던 64단 낸드플래시부터 '엑스태킹(Xtacking)'이라는 이름의 하이브리드 본딩을 적용해 첨단 낸드 공정에서 무섭게 속도를 올리고 있다. </p>
          <p contents-hash="22784d15e4026c906d4e9f96a10fdc60eb891b3f61a60347b594ea7a16539f84" dmcf-pid="FNGlclmjyB" dmcf-ptype="general">일본 기옥시아는 2023년부터 CBA(CMOS Directly Bonded to Array)라는 이름으로 낸드공정에 하이브리드 본딩을 도입했다. 삼성전자는 조만간 양산을 시작할 V10(400단 대) 낸드부터 하이브리드 본딩을 적용할 예정이다.</p>
          <p contents-hash="9dbd5e4718b50a363c9a058c76cbbcd15fec36af8e20ae1426e2e1d220ab2778" dmcf-pid="3jHSkSsAhq" dmcf-ptype="general">한편 SK하이닉스는 내년 낸드 사업에서 V10 개발과 함께 기존 설비를 V9 라인으로 전환하는 투자도 이어간다. SK하이닉스는 내년 1년동안 12인치 웨이퍼 기준 월 4만장~6만장 사이 물량을 V9 생산능력으로 전환할 것으로 보인다. </p>
          <p contents-hash="e8ef4c821ae893d342d8613f58909220c89a7c4d5fc7e4e633783abb5106b2e7" dmcf-pid="0AXvEvOclz" dmcf-ptype="general">한 업계 관계자는 "SK하이닉스는 올 상반기에는 낸드 재고를 쌓아놓았던 분위기였지만, 현재는 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 증가로 공장이 사실상 풀 캐파로 가동되고 있다"고 말했다. </p>
          <p contents-hash="d4600ae9ad2733fec4472eea21dc55fa4735a64e8245c4f5b45d5940549f8267" dmcf-pid="pcZTDTIkC7" dmcf-ptype="general">강해령 기자 hr.kang@hankyung.com</p>
         </section> 
        </div> 
        <p class="" data-translation="true">Copyright © 한국경제. 무단전재 및 재배포 금지.</p>

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